强激光脉冲辐照对多晶硅片导电性的影响

发布时间：2017-12-10 15:15

  本文关键词：强激光脉冲辐照对多晶硅片导电性的影响

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【摘要】：为了减小多晶硅中晶界、位错、微缺陷和过渡族杂质对多晶硅太阳电池效率的不利影响,采用兆瓦级可调谐TEA CO_2高功率激光器输出的激光脉冲对硅片进行预处理。使用10μm带不同支线的脉宽约为200 ns红外激光脉冲在20 mm汞柱的氢气氛中对多晶硅片辐照不同的脉冲数,制得25个样品;去除样品的损伤层后,用S2T-2A四探针测试仪测试了各组样品的电阻率,发现所有样品电阻率都有不同程度的降低,其中经P18和P20支线脉冲辐照3个脉冲的样品电阻率下降幅度最大,下降幅度最高达到50%;用高频光电导少子寿命测试仪测试样品的少子寿命,发现所有样品少子寿命都变长,其中经P18和P20辐照三个脉冲后的样品少子寿命增加幅度最大,增幅最高达30%。
【作者单位】： 乐山师范学院物理与电子工程学院;四川大学电子信息学院;
【基金】：四川省科技计划项目(SC6014534) 乐山市科技攻关项目(ZD130541)
【分类号】：TN248;TN304.12
【正文快照】： 0引言多晶硅是制造太阳能电池的重要材料,多晶硅电池在太阳能电池中占有的比例越来越高。多晶硅的优点是能够制备出适合规模化生产大尺寸方形硅锭,设备价格低廉,制造过程简单、省电、节约硅材料,对材质要求也较低。但是多晶硅太阳能电池比单晶硅太阳电池的光电转换效率低,其原，

本文编号：1274932