基于SiGe HBT的38GHz功率放大器设计

发布时间：2017-12-18 13:05

  本文关键词：基于SiGe HBT的38GHz功率放大器设计

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【摘要】：功率放大器(Power Amplifier,PA)是射频前端关键的模块,基于0.13μm SiGe HBT工艺,设计了一款38 GHz功率放大器。提出了HBT集电极寄生电容和传输线谐振的方法减小芯片面积,针对毫米波频段下,晶体管可获得最大增益较低,采用堆叠晶体管提高了功率放大器的增益,同时通过优化有源器件参数,提高了功率放大器的输出功率和效率。仿真结果显示,在4 V的供电电压下,工作在38 GHz的功率放大器1 dB压缩点输出功率为17.8 d Bm,功率增益为19.0 dB,功率附加效率为32.3%,功耗为252 mW。
【作者单位】： 中国科学院微电子研究所"新一代通信射频芯片技术"北京市重点实验室;
【分类号】：TN722.75
【正文快照】： 0引言近年来,随着移动互联网的蓬勃发展,移动通信数据呈现爆炸式的增长,现有的通信系统很难满足人们未来生活的需求。为了提高数据容量和通信速度,需要增加信道带宽,相比于拥挤的几百兆赫兹到几吉赫兹频段,毫米波频段有大量的有待开发的频谱资源,是无线通信领域最具发展潜力的

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本文编号：1304251