Ⅱ-Ⅵ族三元合金薄膜生长与掺杂工艺研究现状

发布时间：2017-12-25 07:21

本文关键词：Ⅱ-Ⅵ族三元合金薄膜生长与掺杂工艺研究现状　出处：《半导体光电》2016年05期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：相对于Ⅱ-Ⅵ族二元化合物,三元合金在调节带隙宽度和晶格常数上的灵活性使其应用前景更加广阔,并有希望解决Ⅱ-Ⅵ族材料普遍存在的单极性掺杂难题而成为未来新型光电器件发展的一个重要方向。文章着重介绍了分子束外延(MBE)技术生长ZnSeTe、CdZnTe、CdSeTe等Ⅱ-Ⅵ族三元合金单晶薄膜的研究现状,分析了MBE生长三元合金时需要考虑的问题,介绍了Ⅱ-Ⅵ族半导体材料n/p型掺杂的常用元素和掺杂方式,讨论了限制Ⅱ-Ⅵ族材料有效掺杂的物理机制和三元合金在掺杂方面的研究动态,并对三元合金薄膜的发展前景进行了展望。
【作者单位】：中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室;
【基金】：国家自然科学基金项目(61376058)
【分类号】：TN304.2
【正文快照】： 0引言Ⅱ-Ⅵ族半导体材料主要是指由ⅡB族与ⅥA族元素组成的二元及多元化合物,常见的有ZnO、ZnSe、CdS、CdTe、CdZnTe和HgCdTe等。它们晶体内的化学键比之于Ⅲ-Ⅴ族材料更偏向离子性,通常具有立方闪锌矿结构和六方纤锌矿结构,禁带宽度从-0.3eV(HgTe)至3.9eV(ZnS)的直接带隙,通

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