垒温对硅衬底GaN基蓝光LED发光效率的影响

发布时间：2017-12-26 06:29

  本文关键词：垒温对硅衬底GaN基蓝光LED发光效率的影响　出处：《发光学报》2016年02期 　论文类型：期刊论文

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【摘要】：用MOCVD技术在硅衬底上生长了GaN基蓝光LED外延材料,研究了有源层多量子阱中垒的生长温度对发光效率的影响,获得了不同电流密度下外量子效率(EQE)随垒温的变化关系。结果表明,在860~915℃范围内,发光效率随着垒温的上升而上升。当垒温超过915℃后,发光效率大幅下降。这一EL特性与X光双晶衍射和二次离子质谱所获得的阱垒界面陡峭程度有明显的对应关系,界面越陡峭则发光效率越高。垒温过高使界面变差的原因归结为阱垒界面的原子扩散。垒温偏低使界面变差的原因归结为垒对前一个量子阱界面的修复作用和为后一个量子阱提供台阶流界面的能力偏弱。外延生长时的最佳垒温范围为895~915℃。
【作者单位】： 南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心;
【基金】：国家自然科学基金重点项目(61334001) 863计划(2011AA03A101)资助项目
【分类号】：TN312.8
【正文快照】： 1引言2014年,赤崎勇、天野浩和中村修二等三位科学家因发明“高效蓝色发光二极管”而获得2014年诺贝尔物理学奖。这3位科学家的突出贡献在于,20年前他们突破了在蓝宝石衬底上制备高光效Ga N基蓝光LED的两大核心技术,即过渡层生长技术和P型Ga N激活技术[1-4],从而解决了美国广

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本文编号：1336200