高性能短波红外InGaAs焦平面探测器研究进展

发布时间：2017-12-26 12:16

  本文关键词：高性能短波红外InGaAs焦平面探测器研究进展　出处：《红外技术》2016年08期 　论文类型：期刊论文

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【摘要】：中科院上海技物所近十年来开展了高性能短波红外InGaAs焦平面探测器的研究。0.9~1.7mm近红外In Ga As焦平面探测器已实现了256×1、512×1、1024×1等多种线列规格,以及320×256、640×512、4000×128等面阵,室温暗电流密度5 n A/cm~2,室温峰值探测率优于5×10~(12)cm×Hz~(1/2)/W。同时,开展了向可见波段拓展的320×256焦平面探测器研究,光谱范围0.5~1.7mm,在0.8mm的量子效率约20%,在1.0mm的量子效率约45%。针对高光谱应用需求,上海技物所开展了1.0~2.5mm短波红外InGaAs探测器研究,暗电流密度小于10 n A/cm~2@200 K,形成了512×256、1024×128等多规格探测器,峰值量子效率高于75%,峰值探测率优于5×10~(11)cm×Hz~(1/2)/W。
【作者单位】： 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室;中国科学院红外成像材料与器件重点实验室;
【基金】：国家重点基础研究发展计划(2012CB619200) 国家自然科学基金(61376052,61475179)
【分类号】：TN215
【正文快照】： 0引言短波红外探测在航天遥感、微光夜视、军事侦察、空间天文等领域有重要需求[1-2]。In1-xGaxAs是2016年8月Infrared Technology August 2016III-V族直接带隙半导体材料,具有体系稳定、器件制备工艺过程与Si工艺兼容、材料与器件的抗辐照性能好的特点[3]。当In组分为0.53时,

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本文编号：1337223