FinFET器件技术简介

发布时间：2018-01-01 07:48

  本文关键词：FinFET器件技术简介　出处：《科技展望》2016年16期 　论文类型：期刊论文

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【摘要】：22nm、14nm工艺代中,鳍式场效应晶体管(Fin Field-Effect Transistor,Fin FET)因为其制作工艺与传统的平面沟道金属-氧化物-半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)的制作工艺的兼容性更好,逐渐成为主流的器件结构。本文介绍Fin FET器件的发展历程,以及当前较为常见的Fin FET结构及其相应的特点。
[Abstract]:Fin Field-Effect Transistor is used in 22nm ~ 14nm process. Fin FETs are fabricated with traditional planar channel metal-oxide-semiconductor field effect transistors (FET). Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor. The fabrication process of MOSFET is more compatible and has gradually become the mainstream device structure. This paper introduces the development of Fin FET devices. And the current Fin FET structure and its corresponding characteristics.
【作者单位】： 国家知识产权局专利局专利审查协作广东中心;
【分类号】：TN386
【正文快照】： 1前言随着半导体技术的不断发展,栅氧化层厚度、耗尽层深度、沟道长度不断降低,短沟道效应(Short Channel Effect,SCE)引起的漏极感应势垒降低(Drain Induced Barrier Lowering,DIBL)、亚阈特性退化越加明显。传统的平面型MOSFET在半导体技术发展遇到了前所未有的困难。Fin FE

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本文编号：1363584