基于高压SiC MOSFET的高效谐振全桥变换器研究

发布时间：2018-01-02 22:23

  本文关键词：基于高压SiC MOSFET的高效谐振全桥变换器研究　出处：《大功率变流技术》2016年05期 　论文类型：期刊论文

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【摘要】：对谐振全桥变换器而言,利用SiC MOSFET能提高开关频率,达到增大功率密度、降低系统成本、提高效率及简化拓扑电路的目的。文章研究了一种基于第三代SiC MOSFET的零电压(ZVS)LLC谐振全桥DC/DC变换器,利用Cree公司1 000 V/65 mΩ高压SiC MOSFET设计出高频、高功率密度20 k W ZVS LLC谐振隔离全桥变换器并进行了样机研制。实验结果表明,该变换器的开关频率范围扩大到180 k Hz至400 k Hz,最高效率可达到98.4%。该方案能广泛应用于高压直流电源、感应加热、电动汽车充电等三相隔离新能源领域。
[Abstract]:For the resonant full-bridge converter, using SiC MOSFET can increase the switching frequency, increase the power density and reduce the system cost. In order to improve the efficiency and simplify the topology circuit, a zero-voltage ZVSS-LLC resonant full-bridge DC/DC converter based on the third generation SiC MOSFET is studied in this paper. High frequency is designed by using 1 000 V / 65 m 惟 high voltage SiC MOSFET of Cree Company. The high power density 20kW ZVS LLC resonant isolation full-bridge converter is developed. The switching frequency range of the converter is extended to 180kHz to 400kHz, and the maximum efficiency can reach 98.4kHz. This scheme can be widely used in HVDC power supply and induction heating. Electric vehicle charging and other three-phase isolation of new energy field.
【作者单位】： 科锐香港有限公司;科锐公司;
【分类号】：TM46;TN386
【正文快照】： 0?引言?目前,在三相中大功率隔离式功率变换电路中,三相功率因数校正后的直流母线电式为600 V至800 V,后级DC/DC部分主要有两种软开关拓扑[1-2]:三电平直流变换器和交错式两电平直流变换器。相比碳化硅(Si C)MOSFET软开关拓扑,传统Si基拓扑都会带来成本增加及线路设计复杂问题

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本文编号：1371179