基于阴离子表面活性剂的铜CMP后清洗新型碱性清洗液

发布时间：2018-01-03 21:11

  本文关键词：基于阴离子表面活性剂的铜CMP后清洗新型碱性清洗液　出处：《微纳电子技术》2017年11期 　论文类型：期刊论文

  更多相关文章： 阴离子表面活性剂 碱性清洗液 硅溶胶颗粒 苯并三氮唑(BTA) 化学机械抛光(CMP)后清洗

【摘要】：铜布线化学机械抛光(CMP)后清洗的主要对象是CMP工艺后在铜表面的残留物,包括硅溶胶颗粒、金属离子与有机物残留。采用PVA刷洗的清洗方式对CMP后表面残留的硅溶胶颗粒与表面吸附的苯并三氮唑(BTA)的去除进行了实验研究。通过原子力显微镜(AFM)和接触角测量仪对两种阴离子表面活性剂(十二烷基苯磺酸(LABSA)和脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸铵(AESA))与FA/O型非离子表面活性剂在碱性环境中对硅溶胶颗粒及BTA的去除效果进行分析表征,并对去除效果进行了对比。实验得出此两种阴离子表面活性剂在较低质量分数下就能达到FA/O型非离子表面活性剂在高质量分数下才有的颗粒去除效果。AESA在质量分数为0.05%时配合质量分数为0.015%的FA/OⅡ型螯合剂不仅能有效去除晶圆表面沾污的硅溶胶颗粒,同时能有效去除表面沾污的BTA。
[Abstract]:In this paper , the removal effects of silica sol particles on the surface of the surface of the CMP process were investigated by means of atomic force microscopy ( AFM ) and contact angle measuring instrument .

【作者单位】： 河北工业大学电子信息工程学院;天津市电子材料与器件重点实验室;
【基金】：国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2016ZX02301003-004-007) 国家自然科学基金资助项目(NSFC61504037) 河北省自然科学基金资助项目(E2013202247,F2015202267) 河北省博士后择优资助项目(B2015003010) 天津市自然科学基金资助项目(16JCYBJC16100)
【分类号】：TN405
【正文快照】： 2.天津市电子材料与器件重点实验室,天津300130)0引言铜是65 nm以下IC制程中的金属互连材料,在多层布线工艺中,应用化学机械抛光(CMP)技术来实现表面的平坦化。在抛光液中作为研磨料的硅溶胶颗粒与作为抗蚀剂的苯并三氮唑(BTA)是Cu-CMP工艺后晶圆表面残留的主要污染物。铜线条

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本文编号：1375589