ZnO量子点的制备及其在白光LED中的应用

发布时间：2018-01-05 03:00

  本文关键词：ZnO量子点的制备及其在白光LED中的应用　出处：《发光学报》2017年11期 　论文类型：期刊论文

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【摘要】：利用湿化学方法制备合成Zn O量子点,通过改变合成条件(反应时间、反应物浓度、反应温度)对量子点的尺寸及发光性能进行调控。利用透射电子显微镜、吸收光谱、荧光光谱等表征手段,探讨了合成条件对Zn O量子点光学性质的影响,并优化出适用于构建白光LED器件的最佳合成条件。研究结果表明,在反应温度为20℃、反应时间为3 h、前驱体Zn(OAc)_2和Li OH反应浓度比为2∶1时获得的Zn O量子点较为稳定,并在紫外光激发下发出明亮的黄绿色光。在此基础上,以该Zn O量子点为有源层、p-Ga N∶Mg基片为空穴注入层、非晶Al_2O_3薄膜为电子阻挡层构造了p-i-n型异质结LED,在正向注入电流为5 m A时,获得了来自于器件的白光发射,其色坐标为(0.28,0.30),色温为9 424 K。
[Abstract]:Synthesis of Zn O quantum dots by wet chemical method, by changing the synthesis conditions (reaction time, reactant concentration, reaction temperature) regulate the luminescent properties and the size of QDs. The absorption spectra by using transmission electron microscopy, fluorescence spectra, the effect of synthesis conditions on the optical properties of Zn quantum dots O the optimization and suitable for the optimum synthesis conditions of construction of white LED devices. The results showed that the reaction temperature is 20 DEG C, the reaction time is 3 h, the precursor of Zn (OAc) _2 and Li OH concentration ratio of 2 to more stable Zn O quantum dots obtained when 1, and bright yellow green light under ultraviolet excitation. On this basis, with the Zn O quantum dots as the active layer, p-Ga N: Mg substrate for hole injection layer of amorphous Al_2O_3 thin films as the electron blocking layer structure of the p-i-n heterojunction LED in forward injection current of 5 m A, won the The white light emission from the device is (0.28,0.30) and the color temperature is 9424 K.

【作者单位】： 东北师范大学紫外光发射材料与技术教育部重点实验室;
【基金】：国家自然科学基金优秀青年基金(51422201) 国家自然科学基金(61505026,61604037,61574031,51602028) 教育部博士点基金(20130043110004) 吉林省科技发展计划(20160520009JH,20160520115JH,20160520114JH) 发光学及应用国家重点实验室项目(SKLA-2015-03)资助~~
【分类号】：O471.1;TN312.8
【正文快照】： 1 引言 近年来,由于量子点具有尺寸可控、发光波长可调以及低成本的溶液合成方法等优势使其在发光二极管(LED)领域的应用备受瞩目。目前,人们通过控制尺寸和包覆层的厚度,已获得了Cd系量子点(如Cd Se)红光、绿光及蓝光(RGB)发射,并将其应用在量子点LED中,成功地制备了高性能

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本文编号：1381239