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紫外纳米压印技术的研究进展

发布时间:2018-01-05 14:36

  本文关键词:紫外纳米压印技术的研究进展 出处:《微纳电子技术》2017年05期  论文类型:期刊论文


  更多相关文章: 紫外纳米压印光刻(UV-NIL) 抗蚀剂 热压印光刻(T-NIL) 步进-闪光压印光刻(S-FIL) 卷对卷纳米压印光刻(RR-NIL)


【摘要】:传统的紫外纳米压印(UV-NIL)虽然不受曝光波长的限制,但是存在气泡残留、压印不均匀、模具寿命短等问题。为解决这些问题产生了各种新型UV-NIL工艺,针对这些工艺阐述了紫外纳米压印技术工艺要素的最新研究进展,包括模具、光刻胶的材料与制备技术的现状,并列举了步进-闪光压印光刻(S-FIL)、卷对卷式紫外纳米压印光刻(R2R-NIL)等工艺的流程及其特点。紫外纳米压印的图形质量目前仍受光刻胶填充、固化、脱模等物理行为影响。结合最近的实验研究,从理论方面概述了紫外纳米压印的基本原理,主要指出了光刻胶流动行为以及模具降解等问题。最后介绍了一些紫外纳米压印技术的尖端应用。
[Abstract]:The traditional ultraviolet nanoimprint lithography (UV-NIL) although the exposure wavelength limit, but there are air bubbles, the imprint is not uniform, problems of short service life of the mould. The variety of new UV-NIL technology to solve these problems, according to the process described in the latest research on UV nanoimprint technology factors including mold the photoresist material and preparation technology of the status quo, and lists the step and flash imprint lithography (S-FIL), roll type ultraviolet nanoimprint lithography (R2R-NIL) process and characteristics of such process. Ultraviolet nanoimprint lithography pattern quality is still by the photoresist filling, curing, demoulding and other physical behavior combined with recent experimental study from the theoretical aspects, summarizes the basic principle of UV nanoimprint lithography, the main points of the photoresist mold flow behavior and degradation problems. Finally introduces some UV nanoimprint technology tip End application.

【作者单位】: 河海大学物联网工程学院;
【分类号】:TN305.7
【正文快照】: 0引言纳米技术在现代科技中有着不可或缺的作用,历经三十多年的发展,纳米科技已成为量子力学、分子生物学、微电子技术等多个现代科学与技术结合的产物,而纳米技术的应用更是涉及多个产业。就微电子领域而言,2015年国际半导体技术发展路线图(international technology roadmap

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