基于CNFET的高速低功耗三值灵敏放大器设计

发布时间：2018-01-06 01:07

  本文关键词：基于CNFET的高速低功耗三值灵敏放大器设计　出处：《华东理工大学学报(自然科学版)》2017年02期 　论文类型：期刊论文

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【摘要】：通过对碳纳米场效应晶体管(Carbon Nanotube Field Effect Transistor,CNFET)和灵敏放大器原理的研究,提出了一种基于CNFET的高速低功耗三值灵敏放大器设计方案。该方案首先剖析三值反相器电路结构,采用交叉耦合反相器作为三值锁存器;其次结合输入输出信号分离方法,提高放大差分信号速度;然后利用使能信号控制电路状态,降低三值灵敏放大器功耗。采用32nm CNFET标准模型库进行HSPICE仿真,结果表明所设计的电路逻辑功能正确;芯片成品率高达96.48%,具有较强的稳定性,且与利用CMOS设计的二值灵敏放大器相比工作速度提高64%,功耗降低83.4%。
[Abstract]:Based on the carbon nanotube field effect transistor (Carbon Nanotube Field Effect Transistor, CNFET) and the sense amplifier principle research, put forward a kind of high speed and low power CNFET based on three value sensitive amplifier design scheme. The scheme first analyzes the three value of inverter circuit structure, the cross coupled inverters as three valued latches; secondly input separation method of output signal, improve the amplified differential signal speed; then use the enable signal control circuit, three lower power consumption. The 32nm value of the sense amplifier of CNFET standard model library for HSPICE simulation. The results show that logic function design is correct; the chip yield is as high as 96.48%, has strong stability, and the use of the design of CMOS two value sensitive amplifier speed increased by 64% compared to the work, reduce the power consumption of 83.4%.

【作者单位】： 宁波大学电路与系统研究所;
【基金】：国家自然科学基金(61234002,61474068) 浙江省公益性技术应用研究计划项目(2016C31078) 宁波市自然科学基金(2015A610107)
【分类号】：TN722
【正文快照】： 随着集成电路的发展,微处理器中50%以上的晶体管用于存储器的设计[1]。存储器的设计对微处理器的性能有很大的影响,因此高性能存储器的设计显得尤为重要,提升存储器外围电路的性能可提高存储器的性能。灵敏放大器是存储器重要的外围电路之一,灵敏放大器的性能直接影响存储器的

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本文编号：1385625