PECVD变结构腔室热流场耦合规律研究

发布时间：2018-01-10 01:22

  本文关键词：PECVD变结构腔室热流场耦合规律研究　出处：《真空科学与技术学报》2016年11期 　论文类型：期刊论文

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【摘要】：在真空半导体产业中,等离子体增强化学气相沉积腔室内热流场耦合的参数控制是生产工艺过程决定产品质量的关键因素。通过变结构腔室内温度和压力耦合测量试验验证,得到正确可行的针对变结构腔室三维模型热流场耦合计算的仿真算法。对比试验结果,依次改变腔室入口流量、出口压力以及承载台温度的大小,分析计算腔室内温度和压力的耦合分布特性。变结构腔室中热流场耦合分布规律,为真空腔室结构设计及参数控制提供理论依据。
[Abstract]:In a vacuum in the semiconductor industry, plasma enhanced chemical vapor deposition chamber flow field coupling control parameters are key factors in the production process of product quality. The variable structure chamber temperature and pressure coupling measurement test, simulation algorithm for variable structure cavity three-dimensional model flow field coupling calculation is correct and feasible. Contrast test the results, in order to change the chamber entrance flow, outlet pressure and temperature of the size of bearing platform, coupling analysis of distribution characteristics calculation of chamber temperature and pressure in the chamber. The variable structure coupling flow field distribution, and provide a theoretical basis for the structural design and control parameters of the vacuum chamber.

【作者单位】： 五邑大学轨道交通学院;五邑大学机电工程学院;
【基金】：国家科技重大专项资助项目(2011ZX02403-004)
【分类号】：TN405
【正文快照】： 极大规模集成电路制造装备中(简称IC装备),为了提高产品设计制造质量,物理气相沉积(PVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)和刻蚀等中间重要环节都需要在高真空度的工艺腔室内完成,而衡量真空腔室性能的主要指标是工艺过程的均匀性[1-2]。决定工艺腔室工艺均匀性的因素有很多，

本文编号：1403318