一种基于点压技术的新型晶圆键合方法

发布时间：2018-01-10 01:37

  本文关键词：一种基于点压技术的新型晶圆键合方法　出处：《焊接学报》2016年09期 　论文类型：期刊论文

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【摘要】：金金热压键合法在半导体制造领域中应用广泛,为了进一步改进该键合方法,首次提出了一种基于点压技术的新型晶圆键合方法,并研究了工艺温度、压强以及时间对点压键合法单点键合面积的影响.通过超声扫描显微镜图像,着重比较了传统金金热压键合法与点压键合法的键合面积比.对点压键合法的可选择键合性进行了讨论.结果表明,点压键合法工艺步骤简单,工艺稳定性较好,且具有一定的可选择键合特性,在半导体制造领域中将具有广泛的应用前景.
[Abstract]:In order to further improve the bonding method , a novel wafer bonding method based on point pressing technology is proposed for the first time in the field of semiconductor manufacturing , and the influence of process temperature , pressure and time on the legal single bond area of the point pressing bond is studied .

【作者单位】： 中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室;中国科学院微电子研究所高频高压器件与集成研发中心;中国科学院微电子研究所智能感知研发中心;
【分类号】：TN305
【正文快照】： 0序言晶圆键合作为半导体制造领域的一项日益重要的技术,受到了越来越广泛的关注.通常来说,晶圆键合指的是半导体晶圆之间进行黏合的工艺过程.在当今快速发展的半导体行业中,这项技术被广泛应用在SOI(silicon-on-insulator),LED(light emittingdiode)和MEMS(micro-electro-mec

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本文编号：1403364