GaAs量子阱的自旋扩散特性研究

发布时间：2018-01-10 11:16

  本文关键词：GaAs量子阱的自旋扩散特性研究　出处：《山西大学学报(自然科学版)》2017年02期 　论文类型：期刊论文

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【摘要】：基于单极自旋扩散方程,建立了(110)-晶向GaAs/(Al,Ga)As量子阱中非平衡态下的自旋扩散模型,并采用有限元方法对模型进行了数值模拟。模拟结果与实验数据的对比显示,在较低激发功率下理论与实验整体符合的很好;而在较高的激发密度,理论和实验分布在短时延处有一定的差异,可能与动态的热载流子效应有关。
[Abstract]:Based on the unipolar spin diffusion equation, a spin diffusion model is established under the non-equilibrium state of the crystal direction GaAs / Al Si / Ga as quantum wells. The finite element method is used to simulate the model. The comparison between the simulation results and the experimental data shows that the theoretical and experimental results are in good agreement with the whole experiment at low excitation power. At higher excitation density, the theoretical and experimental distributions are different in short time delay, which may be related to the dynamic hot carrier effect.
【作者单位】： 山西大学光电研究所量子光学与光量子器件国家重点实验室;极端光学协同创新中心;
【基金】：国家自然科学基金(61574087) 山西省基础研究优秀青年基金(2015021002) 山西省回国留学人员科研资助项目(2015-009)
【分类号】：O471.1
【正文快照】： 0引言随着信息技术的进步,传统电子学器件的发展受到诸多制约[1]。量子力学与经典信息科学的结合诞生了包括量子通信和量子计算的量子信息学。经典信息以比特(bits)作为处理单位,用0和1来表示;而量子信息的处理单位是量子比特(qubits),即0和1可以同时存在,每个状态可以用逻辑

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本文编号：1405056