梯度掺杂对SiC LTT短基区少子输运增强研究

发布时间：2018-01-11 08:07

  本文关键词：梯度掺杂对SiC LTT短基区少子输运增强研究　出处：《电力电子技术》2017年08期 　论文类型：期刊论文

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【摘要】：通过理论分析与数值仿真的方法对具有梯度掺杂短基区的10kV 4H-SiC光触发晶闸管(LTT)进行了研究。短基区的施主杂质呈梯度分布,未耗尽时会在纵向产生感生电场,使短基区的少子输运从单一的扩散方式改善为扩散与漂移相结合的方式,促进短基区少子的纵向输运。仿真结果显示,梯度掺杂短基区具有更强的少子传输效率,相比于常规SiC LTT,具有梯度掺杂短基区的SiC LTT开通延迟时间缩短了36%。
[Abstract]:The 10kV 4H-SiC light-triggered thyristor LTT with gradient doped short base region is studied by theoretical analysis and numerical simulation. The donor impurity in the short base region is gradient distribution. The induced electric field will be generated in the longitudinal direction when the short base region is not exhausted, and the minority carrier transport in the short base region will be improved from a single diffusion mode to a combination of diffusion and drift mode, and the longitudinal transport of the minority carrier in the short base region will be promoted. The simulation results show that. Gradient doped short base region has stronger minority carrier transmission efficiency. Compared with conventional SiC, the opening delay time of SiC LTT with gradient doping short base region is shortened by 36%.
【作者单位】： 西安理工大学自动化与信息工程学院;
【基金】：国家自然科学基金(51677149)~~
【分类号】：TN34
【正文快照】： 引曰作为第3代半导体材料的代表,SiC具有禁带宽度大、热导率高、临界雪崩击穿电场强度高、饱和载流子漂移速度大、热稳定性好等优点,随着材料与器件工艺的日趋成熟,SiC高压大功率器件的研宄与应用己取得迅速发展SiC晶闸管作为SiC高压器件中的一种,具有阻断电压高、通态压降低

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本文编号：1408737