基于CMOS工艺的射频低噪声放大器的设计

发布时间：2018-01-12 04:03

  本文关键词：基于CMOS工艺的射频低噪声放大器的设计　出处：《黑龙江大学》2015年硕士论文　论文类型：学位论文

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【摘要】：随着科学技术的不断发展,人与人之间的通讯方式已由有线转变为无线通讯。射频,是一种高频电波,被广泛应用于无线通信领域。接收机作为无线通信领域中一部分,对其性能的要求非常严格。而低噪声放大器,是接收机的第一个单元电路,也是非常重要的一个单元,决定着后续电路的很多性能的好坏。本文通过对无线通信系统的分析,设计了使用双极型晶体管的低噪声放大器以及使用MOS管的低噪声放大器,使用ADS2009软件对电路原理图进行仿真。与双极型晶体管设计电路相比,使用MOS管设计的低噪声放大器具有稳定性好,高增益,低噪声系数等特点。电路采用TSMC 0.18μm工艺尺寸进行设计,仿真结果表明:在3V电源供电的情况下,使用双极型晶体管设计的低噪声放大器工作频率为1.575GHz,带宽大于3GHz,噪声系数为4.703dB,增益为14.365dB;在1.8V电源供电的情况下,使用MOS管设计的低噪声放大器稳定性良好,工作频率为1.575GHz,带宽大于3GHz,增益为30.158dB,噪声系数为1.572dB。使用Cadence软件进行版图的绘制。通过对比得到了最优设计方案:使用MOS管设计低噪声放大器,各项指标完成较好,具有高增益、低噪声系数。
[Abstract]:With the development of science and technology , the communication between people and people has been changed from wired to wireless communication . The radio frequency is a kind of high - frequency radio wave , which is widely used in the field of wireless communication .

【学位授予单位】：黑龙江大学
【学位级别】：硕士
【学位授予年份】：2015
【分类号】：TN722.3
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本文编号：1412572