宽带高增益输出平衡CMOS低噪声放大器的设计
本文关键词:宽带高增益输出平衡CMOS低噪声放大器的设计 出处:《半导体技术》2017年10期 论文类型:期刊论文
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【摘要】:设计了一种带片内变压器、适用于0.05~2.5 GHz频段的宽带低噪声放大器(LNA)。电路设计采用了并行的共栅共源放大结构,将从天线接收到的单端输入信号转换为一对差分信号输出给后级链路。针对变压器结构的LNA噪声系数不够低和输出不平衡的问题,采用了缩放技术、噪声消除技术以及两级的全差分放大器作为输出缓冲级,来有效降低电路的噪声系数,提高增益和输出平衡度。电路采用TSMC 0.18μm 1P6M RF CMOS工艺设计仿真和流片,测试结果表明:在0.05~2.5 GHz频带范围内,该LNA的最高功率增益达24.5 d B,全频段内噪声系数为2.6~4 d B,输入反射系数小于-10 d B,输出差分信号幅度和相位差分别低于0.6 d B和1.8°。
[Abstract]:In this paper, a kind of in-chip transformer is designed, which is suitable for the broadband low-noise amplifier (LNA) in the frequency range of 0.05 ~ 2.5 GHz. The circuit is designed with a parallel common-gate common-source amplifier structure. The single-terminal input signal received from the antenna is converted into a pair of differential signals output to the post-stage link. Aiming at the problems of low LNA noise coefficient and unbalanced output in transformer structure, the scaling technique is adopted. Noise cancellation technology and two-stage fully differential amplifier are used as output buffer stage to effectively reduce the noise coefficient of the circuit. The circuit adopts TSMC 0.18 渭 m 1P6M RF CMOS process to design simulation and flow sheet. The test results show that the maximum power gain of the LNA is 24.5 dB in the range of 0.05 ~ 2.5 GHz, and the noise coefficient is 2.6 ~ 4 dB in the whole frequency band. The input reflection coefficient is less than -10 dB, and the output differential signal amplitude and phase difference are less than 0.6 dB and 1.8 掳, respectively.
【作者单位】: 华中科技大学光学与电子信息学院;
【基金】:国家自然科学基金资助项目(61376031)
【分类号】:TN722.3
【正文快照】: 0引言近些年来,集成无线通信芯片被广泛应用于导航定位、物联网、移动终端、智能家居等多个行业,衍生出多样的通信协议。为了顺应市场的需求,当前无线通信领域最热门的研究之一就是设计一款兼容多协议的收发器芯片,以满足用户日益增长的需要。低噪声放大器(low noise amplifie
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,本文编号:1420893
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