降温速率对升级冶金硅定向凝固生长多晶硅少子寿命的影响

发布时间：2018-01-13 23:09

  本文关键词：降温速率对升级冶金硅定向凝固生长多晶硅少子寿命的影响　出处：《人工晶体学报》2017年01期 　论文类型：期刊论文

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【摘要】：对经过前期提纯的冶金级硅料进行一次性定向凝固生长多晶硅铸锭,研究了长晶阶段降温速率对多晶硅少子寿命的影响。结果显示降温速率越低,获得多晶硅少子寿命越高,但降温速率低到一定程度时,少子寿命反而会降低。通过测试生长多晶硅硅锭曲率半径、晶体结构等数据,分析了该现象的产生原因。这将有助于升级冶金硅一次性定向凝固生长多晶硅铸锭的生产应用。
[Abstract]:Polycrystalline silicon ingot was grown by unidirectional solidification of metallurgical grade silicon after early stage purification. The effect of cooling rate of long crystal stage on minority carrier lifetime of polycrystalline silicon was studied. The results showed that the lower the cooling rate was. The higher the minority carrier lifetime of polysilicon is, but the lower the cooling rate is, the lower the minority carrier lifetime will be. The curvature radius and crystal structure of polycrystalline silicon ingot are measured. The causes of this phenomenon are analyzed, which will be helpful to upgrade the production and application of polycrystalline silicon ingot grown by one time directional solidification of metallurgical silicon.
【作者单位】： 南昌大学机电工程学院;华东交通大学;新余学院新能源科学与工程学院;江西省高等学校硅材料重点实验室;
【基金】：国家自然科学基金(51164033,51664047,51561022,61306084) 江西省自然科学基金(20132BAB206021) 江西省高等学校科技落地计划(KJLD12050) 江西省教育厅科学技术研究项目(GJJ151220;11739;12748;161199;161200)
【分类号】：TM914.4;TN304.12
【正文快照】： Influence of Cooling Rate on the Minority Carrier Lifetime ofMulticrystalline Silicon Grown with Metallurgical GradeSilicon Feedback by Directional SolidificationLIU Zhi-hui1,LUO Yu-feng1,2,GONG Hong-yong3,4,RAO Sen-lin3,4,ZHANG Fa-yun3,4,HU Yun3,4(1.Sch

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本文编号：1420947