GaAs半导体表面的S-N混合等离子体钝化及在激光器工艺上的应用

发布时间：2018-01-14 04:19

本文关键词：GaAs半导体表面的S-N混合等离子体钝化及在激光器工艺上的应用　出处：《光电子·激光》2017年02期 　论文类型：期刊论文

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【摘要】：利用射频(RF)等离子方法,对GaAs半导体表面进行了S-N混合等离子体钝化实验,并对工作压强、RF功率进行了优化。光致发光(PL)测试结果表明,经过S-N混合等离子体钝化的GaAs样品PL强度提高135%。将本文钝化方法应用到980nm波长InGaAs应变量子阱(QW)激光器的制备工艺,器件的COD阈值功率明显增加。
[Abstract]:S-N mixed plasma passivation experiments were carried out on the surface of GaAs semiconductors by radio frequency RF plasma method, and the working pressure was tested. The RF power is optimized. The photoluminescence (PL) test results show that. The PL intensity of GaAs samples passivated by S-N mixed plasma has been increased by 135.The passivation method has been applied to the QW of InGaAs strained quantum wells at 980nm. The preparation technology of laser. The COD threshold power of the device is obviously increased.
【作者单位】：长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室;
【基金】：国家自然科学基金(61176048,61177019,61308051) 吉林省科技发展计划(20150203007GX,20130206016GX) 中物院高能激光重点实验室基金(2014HEL01)资助项目
【分类号】：TN248.4
【正文快照】： 1引言通常,GaAs基半导体激光器腔面承受的最大功率受腔面表面态影响极大,腔面钝化已经成为GaAs基半导体激光器实现高功率可靠工作的主要技术措施。半导体激光器腔面钝化的代表性方法有S钝化、N钝化和H钝化等[1~11]。其中湿法S钝化方法较为成熟,钝化效果好,但形成的硫钝化层稳

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