自发形核生长的AlN单晶湿法腐蚀研究

发布时间：2018-01-15 02:07

  本文关键词：自发形核生长的AlN单晶湿法腐蚀研究　出处：《人工晶体学报》2017年07期 　论文类型：期刊论文

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【摘要】：采用湿法腐蚀工艺,使用熔融态KOH和NaOH作为腐蚀剂,对一种物理气相传输(PVT)自发形核新工艺在2100~2250℃条件下生长的AlN单晶进行了腐蚀实验。通过实验及扫描电子显微镜(SEM)结果分析,得到了典型的AlN单晶c面、r系列面及m面最佳的腐蚀工艺参数及腐蚀形貌。另外,基于腐蚀形貌分析,发现了采用该自发形核新工艺生长的AlN晶体某些独特习性并计算出Al N单晶腐蚀坑密度(EPD)。
[Abstract]:The wet etching process using molten KOH and NaOH as etchant, a physical gas phase transmission of (PVT) AlN crystal nucleation process of growth at 2100~2250 deg.c for corrosion experiments and scanning electron microscopy (SEM) results, the typical AlN single crystal c r, a series of corrosion parameters and M surfaces and the best corrosion morphology. In addition, based on the analysis of corrosion morphology, found the spontaneous growth of AlN crystal nucleus technology some unique habits and calculate the Al N single crystal etch pit density (EPD).

【作者单位】： 省部共建高品质特殊钢冶金与制备国家重点实验室上海市钢铁冶金新技术开发应用重点实验室上海大学材料科学与工程学院;
【基金】：国家自然科学基金(51401116,51404148) 上海市科委基金(13DZ1108200,13521101102)
【分类号】：TN304
【正文快照】： 1引言Al N属于第三代半导体材料,具有宽带隙(禁带宽度高达6.2 e V)、高热导率(340 W/m×K)、高电阻率(1010Ω·cm)、高临界击穿电场、高载流子饱和漂移速度等优点[1,2],适用于制作高温、高频、大功率电子器件、表面声波器件等特殊功能器件[3,4]。此外,Al N还具有良好的紫外透，

本文编号：1426297