MOCVD反应室温度均匀性的研究
本文关键词：MOCVD反应室温度均匀性的研究 出处：《发光学报》2017年02期 论文类型：期刊论文
【摘要】：为研究一种有效提高MOCVD反应室温度均匀性的方法,针对自主研发的大型立式MOCVD反应室,建立二维模型,就激励电流对反应室温度均匀性的影响进行了分析。为提高温度均匀性,通过改变不同电参数来观察磁场及石墨盘表面径向温度的变化,发现电参数与加热效率成正比,但是与加热的均匀性成反比关系;在相同功率下,电流频率上升将导致温度均匀性下降。以上关系中反映出的合理的电参数,在保证反应温度的同时,保证了温度均匀性,有利于薄膜生长。
[Abstract]:In order to study an effective method to improve the temperature uniformity of MOCVD reaction cell, a two-dimensional model was established for the large vertical MOCVD reactor developed by ourselves. The effect of excitation current on the temperature uniformity of the reaction chamber was analyzed. In order to improve the temperature uniformity, the magnetic field and the radial temperature of graphite disk surface were observed by changing different electrical parameters. It is found that the electric parameters are directly proportional to the heating efficiency, but inversely proportional to the uniformity of the heating. At the same power, the increase of current frequency will lead to the decrease of temperature homogeneity, and the reasonable electrical parameters reflected in the above relations can ensure the temperature uniformity as well as the temperature homogeneity, which is beneficial to the film growth.
【作者单位】： 南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心;南昌大学信息工程学院;
【基金】：国家高技术研究发展计划(863)(2012AA041002) 江西省科技厅重大科技专项(20114ABF06102)资助项目~~
【分类号】：TN304.055
【正文快照】： 1引言金属有机化合物化学气相沉淀(MOCVD)是目前生长薄层单晶材料常用的方法[1-7]。该方法中,反应室内部加热效果是生长优质Ga N外延片的关键工艺条件。其中如何提高温度均匀性是本文讨论的核心问题。温度均匀性影响一炉成品的质量,当均匀性表现低下时,不同区域薄膜材料质量不
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，本文编号：1426476
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