非对称超结场效应晶体管设计和仿真
本文关键词：非对称超结场效应晶体管设计和仿真 出处：《微电子学与计算机》2017年07期 论文类型：期刊论文
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【摘要】：为了克服传统功率MOSFET通态电阻和击穿电压之间的矛盾,引入了超级结(SJ)器件,通过引入横向电场来提高击穿电压.针对工艺中非对称pillar的设计需求,建立了非对称的研究分析模型,通过引入影响设计的非对称因子k,分析了k的物理意义和修正了不同pillar比例下的k值来设计相关参数,推导出超结的设计解析表达式.为了验证设计的准确性,以沟槽栅SJ-MOSFET为器件,进行了仿真验证和比较,理论与仿真结果符合良好,可以用于超结MOSFET的设计指导.
[Abstract]:In order to overcome the contradiction between on-state resistance and breakdown voltage of traditional power MOSFET, the superjunction SJ device is introduced. In order to improve the breakdown voltage by introducing transverse electric field, an asymmetric research and analysis model was established to meet the design requirements of asymmetric pillar in the process, and an asymmetric factor k was introduced to influence the design. The physical meaning of k is analyzed and the K value of different pillar ratio is modified to design the relevant parameters. The analytical expression of the design of the superjunction is derived to verify the accuracy of the design. The simulation results of grooved gate SJ-MOSFET are verified and compared. The theoretical and simulation results are in good agreement with each other and can be used to guide the design of superjunction MOSFET.
【作者单位】： 中国科学院微电子研究所;江苏物联网研究发展中心;
【基金】：国家重大科技专项(2013ZX02305-005-002) 国家自然科学基金(51490681) 省院合作高技术产业化专项资金项目(2016SYHZ0026)
【分类号】：TN386
【正文快照】： 1引言功率场效应晶体管(Metal oxide semiconductorfield effect transistor-MOSFET)是功率半导体器件领域中最为重要的器件之一,传统的功率MOSFET器件,尤其是垂直双扩散场效应晶体管(Verticaldouble diffusion metal oxide semiconductor-VD-MOS)器件,一般是通过增加外延层厚
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4 张，
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