基于M57962AL芯片的大功率IGBT驱动与保护设计

发布时间：2018-01-19 01:24

  本文关键词： 绝缘栅双极型晶体管 驱动电路 短路保护　出处：《电力电子技术》2016年07期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：根据大功率绝缘栅双极型晶体管(IGBT)对驱动电路和保护的要求,提出一种基于M57962AL的实用型大功率IGBT驱动电路及其保护的设计方案,该设计方案选取IGBT输出特性曲线的拐点作为短路保护阈值点,可有效防止误保护。以FF1200R17KE3_B2为例,根据提出的设计方案设计合适的驱动参数、保护参数及外围电路。通过短路保护测试及大功率实验结果验证该驱动电路具有良好的驱动和保护能力。
[Abstract]:According to the requirements of high power insulated gate bipolar transistor (IGBT) for driving circuit and protection. A practical high power IGBT driver circuit based on M57962AL and its protection scheme are proposed. The inflection point of IGBT output characteristic curve is selected as the threshold point of short circuit protection. Take FF1200R17KE3_B2 as an example to design the appropriate driving parameters according to the proposed design scheme. Protection parameters and peripheral circuits. The test results of short circuit protection and high power experiments show that the drive circuit has good driving and protection capability.
【作者单位】： 国网浙江省电力公司电力科学研究院;
【分类号】：TN322.8
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本文编号：1442039