MEMS用硅单晶缺陷对各向异性腐蚀的影响
本文关键词： 微电子机械系统(MEMS) 硅单晶 各向异性腐蚀 氧杂质浓度 微缺陷 氧沉淀 出处：《微纳电子技术》2017年10期 论文类型：期刊论文
【摘要】：为了满足微电子机械系统(MEMS)器件制作要求,各向异性腐蚀加工后的硅衬底需具有良好的表面质量。针对MEMS用硅单晶在各向异性腐蚀加工过程中出现的腐蚀表面粗糙、不平整问题,采用常规直拉(Cz)单晶、掺锗直拉单晶和磁场直拉单晶等不同工艺制备了多种硅单晶样品,并测试了其常规电参数、氧杂质浓度和微缺陷等参数。针对各种硅单晶样品,模拟了器件制作过程中各向异性腐蚀实验,获得了硅单晶的腐蚀表面情况,对比得出了影响硅单晶各向异性腐蚀质量的关键因素在于硅单晶内的氧杂质浓度及氧沉淀密度的控制,并从原子表面能和应力等方面推断晶体中氧沉淀缺陷对各向异性腐蚀质量的影响机理。
[Abstract]:In order to meet the requirements of MEMS device fabrication. The silicon substrate fabricated by anisotropic etching should have good surface quality. The corrosion surface of silicon single crystal used in MEMS during anisotropic etching process is rough and uneven. Various silicon single crystal samples were prepared by conventional Czochralski single crystal, germanium doped Czochralski single crystal and magnetic Czochralski single crystal, and their conventional electrical parameters were measured. Based on the parameters of oxygen impurity concentration and microdefects, the anisotropic corrosion experiments in the fabrication process of silicon single crystals were simulated, and the corrosion surface conditions of silicon single crystals were obtained. The key factors affecting the anisotropic corrosion quality of silicon single crystal are the control of oxygen impurity concentration and oxygen precipitation density. The influence mechanism of oxygen deposition defects on anisotropic corrosion quality was deduced from atomic surface energy and stress.
【作者单位】： 中国电子科技集团公司第四十六研究所;
【分类号】：TN304.12
【正文快照】： 性腐蚀质量。0 引 言本文针对硅衬底片在各向异性腐蚀后出现表面微电子机械系统(粗糙的问题,研究了不同单晶拉制条件对单晶电参MEMS)是半导体微机械加工和各类传感器加工制造的重要研究领域之数及缺陷参数的影响,并模拟MEMS器件制作的一[1-3]。在各向异性腐蚀实验,分析并得
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