不同调制频率下半导体载流子输运特性对时域曲线的影响研究

发布时间：2018-01-21 19:05

  本文关键词： 调制频率 半导体材料 自由载流子 时域　出处：《科技通报》2017年07期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：在工业半导体制造业中,伴随微电子器件尺寸不断缩小及集成程度的提高,对制作电子器件的半导体材料性质的检测是不可或缺的。因此文中提出在不同调制频率下对半导体载流子输运特性进行分析并研究它与时域曲线的关系。首先,利用自由载流子吸收检测技术,根据半导体原料中的自由载流子对光吸收的性质获取吸收系数,并通过该系数得到载流子浓度比例,运用调制激励光改变载流子浓度,依据载流子吸收光的特性再次调制探测光明确载流子输运参数;其次,运用调制载流子对光的吸收作用获取的输入参数,通过仿真实验利用输入参数中的载流子寿命、扩散系数和表面复合速度等因素,在不同频率下分析载流子输运特性与时域曲线的关系。实验证明,利用该技术能够较好地分析载流子输运特性对时域曲线的影响。
[Abstract]:In the industrial semiconductor manufacturing industry, with the continuous reduction of the size of microelectronic devices and the improvement of integration degree. It is indispensable to detect the properties of semiconductor materials for electronic devices. Therefore, we propose to analyze the carrier transport characteristics of semiconductor at different modulation frequencies and to study the relationship between semiconductor carrier transport characteristics and time domain curves. Using the free carrier absorption detection technology, the absorption coefficient is obtained according to the properties of the free carrier absorption in semiconductor raw materials, and the carrier concentration ratio is obtained by the coefficient. The carrier transport parameters are determined by modulating the probe light according to the characteristics of the carrier absorbing light by changing the carrier concentration with the modulated excitation light. Secondly, the input parameters are obtained by the absorption of modulated carriers to light, and the carrier lifetime, diffusion coefficient and surface recombination velocity of the input parameters are used in the simulation experiment. The relationship between carrier transport characteristics and time-domain curves is analyzed at different frequencies. The experimental results show that the influence of carrier transport characteristics on time-domain curves can be well analyzed by using this technique.
【作者单位】： 商丘工学院基础教学部;
【基金】：河南省高等学校重点科研项目(17A120012) 2015年河南省教育技术装备和实践教育研究立项课题(编号:GZS134)
【分类号】：TN304
【正文快照】： 文献[1]指出在大规模集成电路制造时代的宏观环境下,半导体微电子领域始终利用摩尔定律进行技术改进及更新。在近10多年来电子业的发展中,伴随离子注入工艺及超大模式电路光刻技术的加入,其电子集成尺寸已经可以达到100 nm以下,2006年更是缩小至65 nm以下,而现在集成电路能够

【参考文献】

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【共引文献】

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【二级参考文献】

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本文编号：1452324