Si基PIN光电探测器电场隔离结构对暗电流的影响

发布时间：2018-01-27 14:53

  本文关键词： Si基光电探测器 电场隔离结构 暗电流　出处：《半导体光电》2017年06期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：对Si基PIN光电探测器的电场隔离结构进行了研究,讨论了电场隔离结构的作用以及其与暗电流的关系,并进行了仿真模拟与测试分析。电场隔离结构主要将有源区和边缘隔离从而降低暗电流,结合仿真模拟结果和实验测试结果,分析得到电场隔离结构主要降低与周长有关的暗电流,对于小尺寸器件作用更明显。
[Abstract]:The electric field isolation structure of Si - based PIN photodetector is studied . The effect of electric field isolation structure and its relationship with dark current are discussed . Simulation simulation and test analysis are carried out .

【作者单位】： 北京工业大学信息学部;北京邮电大学电子工程学院信息光子学与光通信国家重点实验室;
【基金】：国家自然科学基金项目(61335004,61675046,61505003) 国家“973”计划项目(2016YFB0400603) 国家“863”计划项目(2015AA017101)
【分类号】：TN36
【正文快照】： 0引言高灵敏Si基光电探测器广泛应用于航空航天、国防、医疗和安全等领域[1]。灵敏度可反映探测器能够探测到最小光子能量的能力,衡量探测器灵敏度的一个关键指标就是暗电流。降低暗电流的方法除了提高器件表面的洁净度、增加表面钝化以外,还有采用浅沟槽隔离和电场隔离等[2-3

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本文编号：1468724