性能退化数据下的VDMOS可靠性分析

发布时间：2018-01-28 05:43

  本文关键词： VDMOS 二阶最小二乘 寿命分布　出处：《数学的实践与认识》2017年07期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：依据VDMOS可靠性实验获得的性能指标退化数据,选择导通阻抗作为表征VDMOS性能退化的关键指标,用二阶最小二乘估计的方法拟合了VDMOS关键性能指标退化数据的回归曲线.以该性能指标的相对增量(初始值的20%)为阈值,给出了VDMOS的伪寿命估计.然后基于获得的伪寿命数据,在VDMOS寿命服从Weibull分布的假设下,研究并估计了该分布的形状参数与尺度参数.最后结合W统计量对该假设进行了检验,进一步说明了Weibull分布假设的合理性.
[Abstract]:According to the degradation data of VDMOS reliability test, the on-impedance is selected as the key index to characterize the performance degradation of VDMOS. The regression curve of the degradation data of VDMOS key performance index is fitted by using the second-order least square estimation method. The relative increment of the performance index (20 of the initial value) is taken as the threshold. The pseudo-life estimation of VDMOS is given, and then based on the obtained pseudo-life data, under the assumption that the VDMOS service life is distributed from Weibull. The shape parameters and scale parameters of the distribution are studied and estimated. Finally, the hypothesis is tested with W statistics, and the rationality of the hypothesis of Weibull distribution is further demonstrated.
【作者单位】： 北京理工大学数学与统计学院;
【基金】：国家自然科学基金联合基金资助(U1430125)
【分类号】：TN386
【正文快照】： 1引言随着制造技术的发展和对产品质量的重视,现代产品的可靠性越来越高,产品寿命也越来越长.以功率VDMOS器件为例,其具有开关速度快、可靠性高的特点,被广泛应用于固态功率控制器、自动控制系统等航空航天设备中.由于航空航天领域对产品的可靠性有着非常高的要求,因此,对VDMO

【参考文献】

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1 贾占强;蔡金燕;梁玉英;韩春辉;;基于步进加速退化试验的电子产品可靠性评估技术[J];系统工程理论与实践;2010年07期

2 邓爱民;陈循;张春华;汪亚顺;;基于性能退化数据的可靠性评估[J];宇航学报;2006年03期

【共引文献】

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2 裴磊;王磊;王元麒;;基于退化轨迹的真空玻璃寿命预测[J];真空;2017年02期

3 向刚;苗静;邱丰;;航天电子产品贮存期评估方法研究[J];电子测量技术;2017年01期

4 刘强;王艾伦;罗真;;组合转子解析建模与拉杆蠕变导致的退化研究[J];噪声与振动控制;2016年06期

5 杨浩天;汪立新;田颖;谭纪文;;惯性器件剩余寿命预测非线性退化过程建模的贝叶斯方法[J];电光与控制;2016年12期

6 滕跃;王聪;;RED系统故障标准化诊断方法研究[J];中国标准化;2016年15期

7 邱荣华;巨孔亮;董友耕;屈萍鸽;刘宏昭;;基于性能退化的小子样电主轴可靠性试验研究[J];中国机械工程;2016年20期

8 刘桂雄;余荣斌;徐欢;;加速退化下光伏组件伪失效寿命分布估算[J];光学精密工程;2016年09期

9 叶红波;缪建;沈广月;陈文华;潘骏;;氨氮水质监测仪步进应力加速退化试验研究[J];机电工程;2016年07期

10 刘合财;;基于产品性能退化轨迹的可靠性研究[J];安徽师范大学学报(自然科学版);2016年04期

【二级参考文献】

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1 赵建印;孙权;周经伦;贺少勃;魏晓峰;;基于加速退化数据的金属化膜脉冲电容器可靠性分析[J];强激光与粒子束;2006年09期

2 邓爱民;陈循;张春华;汪亚顺;;基于性能退化数据的可靠性评估[J];宇航学报;2006年03期

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1 唐昭焕;胡刚毅;陈光炳;谭开洲;刘勇;罗俊;徐学良;;A novel structure for improving the SEGR of a VDMOS[J];半导体学报;2012年04期

2 王英;何杞鑫;方绍华;;高压功率VDMOS管的设计研制[J];电子器件;2006年01期

3 杨东林;孙伟锋;刘侠;;700V VDMOS设计[J];电子器件;2007年02期

4 刘侠;孙伟锋;王钦;杨东林;;高压VDMOS电容的研究[J];电子器件;2007年03期

5 蔡小五;海潮和;王立新;陆江;;新型低压超结功率VDMOS器件数值模拟[J];功能材料与器件学报;2007年05期

6 徐丹;殷景华;王鑫宇;;VDMOS器件微观结构研究[J];应用科技;2007年11期

7 刘刚;蔡小五;韩郑生;陆江;王立新;夏洋;;国产VDMOS电离辐射环境中的敏感参数研究[J];核技术;2008年08期

8 谭开洲;胡刚毅;杨谟华;徐世六;张正t，

本文编号：1469934