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石墨烯上生长GaN纳米线的研究

发布时间:2018-02-01 17:09

  本文关键词: CVD GaN纳米线 石墨烯 催化剂 单晶 出处:《半导体光电》2017年06期  论文类型:期刊论文


【摘要】:在常压条件下采用化学气相淀积(CVD)技术在有石墨烯插入层的衬底上生长GaN纳米线,研究了生长温度、石墨烯插入层、催化剂等因素对GaN纳米线的形貌、光学特性以及结构的影响。通过扫描电子显微镜(SEM)、光致发光(PL)谱、拉曼(Raman)谱和透射电子显微镜(TEM)等表征手段对GaN纳米线的形貌、光学特性以及结构进行表征。结果表明,在1 100℃条件下,同时有石墨烯插层和催化剂的衬底表面能够获得低应力单晶GaN纳米线。石墨烯、催化剂对于获得低应力单晶GaN纳米线有重要的作用。
[Abstract]:GaN nanowires were grown on the substrates with graphene inserts by chemical vapor deposition (CVD) under atmospheric pressure. The growth temperature and the intercalation layer of graphene were studied. Effects of catalyst on morphology, optical properties and structure of GaN nanowires. The morphology, optical properties and structure of GaN nanowires were characterized by Raman spectroscopy and transmission electron microscopy (TEM). Both graphene intercalation and the substrate surface of the catalyst can obtain low stress single crystal GaN nanowires. Graphene catalyst plays an important role in obtaining low stress monocrystalline GaN nanowires.
【作者单位】: 南京大学电子科学与工程学院;
【基金】:国家“973”计划项目(2016YFB0400100,2016YFB0400602) 国家“863”计划项目(2015AA033305) 国家自然科学基金项目(61274003,61400401,51461135002,61334009) 江苏省自然科学基金项目(BY2013077,BK20141320,BE2015111) 固态照明与节能电子学协会同创新中心项目 江苏高校优势学科建设工程资助项目 国网山东电力公司技术开发基金项目
【分类号】:O613.71;TN304.2
【正文快照】: 0引言GaN是直接带隙半导体材料,具有禁带宽度大、熔点高、饱和漂移速度高以及击穿电场大等优点,在微波器件、高频大功率器件以及短波长蓝光-紫外光发光器件等领域具有广泛的应用[1-2]。同时,由于纳米结构具有量子限制效应、库仑阻塞效应以及高的比表面等优点,GaN纳米线已经成

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本文编号:1482384

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