线阵碲镉汞探测器对纳秒脉冲激光的反常响应规律及机理

发布时间：2018-02-10 07:04

  本文关键词： HgCdTe 线阵探测器 脉冲激光 反常响应 零压输出 响应凹陷　出处：《红外与激光工程》2017年10期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：利用纳秒激光辐照PV型线阵HgCdTe探测器的局部光敏元,获得了该类器件损伤前被辐照和未被辐照像元输出信号随激光能量密度变化的全部响应规律,指出基底信号二阶段响应和光信号六阶段响应的规律特点,同时给出不同响应阶段激光能量密度阈值范围;发现了基底信号整体跃变的零压输出、光响应信号输出凹陷-回升-凸起等反常响应现象;并从探测器读出电路和热生电动势的角度揭示了反常响应现象的产生机理,希望能加强对阵列型HgCdTe探测器光响应特性的深刻认识,为该类器件的技术创新提供启示。
[Abstract]:By using nanosecond laser to irradiate the local Guang Min element of PV linear array HgCdTe detector, the response laws of the output signals of irradiated and unirradiated pixels with laser energy density before and after damage are obtained. The characteristics of the two-stage response of the substrate signal and the six-stage response of the optical signal are pointed out, and the threshold range of the laser energy density in different response stages is given, and the zero-pressure output of the global jump of the substrate signal is found. The mechanism of abnormal response is revealed from the angle of detector readout circuit and thermally generated electromotive force. It is hoped that the deep understanding of the photoresponse characteristics of array type HgCdTe detectors can provide inspiration for the technological innovation of this kind of devices.
【作者单位】： 国防科学技术大学光电科学与工程学院;中国电子科技集团公司第三十四研究所;
【基金】：高能激光技术湖南省重点实验室(2015TP1001)
【分类号】：TN215

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本文编号：1499943