一种电场调制载流子存储槽栅双极型晶体管

发布时间：2018-02-20 15:21

  本文关键词： 载流子存储槽栅双极型晶体管 电场调制 电场分布 击穿电压 关断时间　出处：《微电子学》2017年05期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：提出了一种性能优良的电场调制载流子存储槽栅双极型晶体管(CSTBT)。结合电场调制原理,在器件的载流子存储(CS)层引入P掺杂条,改善器件栅极下方氧化硅拐角处的电场分布,防止器件提前发生雪崩击穿,提高了器件的击穿电压。器件处于关断状态时,内部大量的空穴载流子通过CS层中未完全耗尽的P掺杂条到达发射极,抑制了CS层阻挡空穴的作用,有效提高了器件的关断速度。与传统CSTBT器件相比,改进器件的击穿电压值提高了379V,关断时间缩短了19.1%,器件性能大幅提高。
[Abstract]:A novel electric-field modulated carrier gate bipolar transistor (CSTBTT) with excellent performance is proposed. Combining with the principle of electric field modulation, P-doped strip is introduced into the carrier storage layer of the device to improve the electric field distribution at the corner of silicon oxide under the gate of the device. In order to prevent avalanche breakdown in advance, the breakdown voltage of the device is increased. When the device is turned off, a large number of hole carriers in the device reach the emitter through the incomplete P-doped strip in the CS layer. Compared with the conventional CSTBT devices, the breakdown voltage of the improved devices is increased by 379V, the turn-off time is shortened by 19.1V, and the device performance is greatly improved.
【作者单位】： 西南交通大学信息科学与技术学院MCU联合实验室;
【基金】：国家自然科学基金资助项目(61404110)
【分类号】：TN322.8

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本文编号：1519292