长波长线列碲镉汞焦平面器件拼接工艺研究

发布时间：2018-02-20 22:35

  本文关键词： 长波 长线列 碲镉汞 红外焦平面 拼接工艺　出处：《激光与红外》2017年01期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：长波5000元长线列碲镉汞焦平面器件由5个长波1000元混成芯片在拼接基板上交错排列组成。本文采用拼接互连设备的正贴方法进行单模块与拼接基板的拼接,试验结果表明:该拼接方法的拼接位置精度在X和Y轴方向均小于8μm,在Z轴方向小于15μm,满足需求。
[Abstract]:Mercury cadmium tellurium telluride focal plane device with long wave 5000 yuan is composed of five long wave 1000 yuan mixed-chip arranged interlaced on the spliced substrate. In this paper, the single module and the spliced substrate are spliced by the forward mount method of the splicing interconnection equipment. The experimental results show that the position accuracy of the splicing method is less than 8 渭 m in X and Y axis and 15 渭 m in Z axis.
【作者单位】： 华北光电技术研究所;
【分类号】：TN215

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本文编号：1520217