利用变温瞬态电致发光研究OLED载流子的输运机理

发布时间：2018-02-20 22:28

  本文关键词： 有机电致发光 瞬态电致发光响应 载流子输运 低温　出处：《发光学报》2017年10期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：研究了不同温度下几种结构的有机电致发光器件(OLED)的瞬态电致发光响应特性以及电流密度-电压-亮度特性。研究发现,启亮电压随温度升高而减小的加速度在200 K时出现拐点,且这一数值主要由电子传输层Alq3的迁移率决定。当温度为200 K时,延迟时间td最重要的影响因素是Mo O3空穴注入势垒,随着温度的升高,Δtd逐渐减小,到300 K时基本消失。Vf代表光衰减时间随温度增长的平均速率。Mo O3注入层和电致发光材料Ir(ppy)3都会对载流子的堆积起促进作用。由Mo O3注入层不同引起的ΔVf是0.52μs/K,由电致发光材料Ir(ppy)3不同引起的ΔVf是0.73μs/K。
[Abstract]:The transient electroluminescence response characteristics and current density, voltage-luminance characteristics of organic electroluminescent devices (OLED) with different temperatures are studied. An inflection point occurs at 200K when the acceleration of the starting voltage decreases with the increase of temperature, and this value is mainly determined by the mobility of the electron transport layer (Alq3). When the temperature is 200K, the most important factor affecting the delay time TD is the Moo _ 3 hole injection barrier. With the increase of temperature, 螖 TD decreases gradually. At 300K, V _ f represents the average rate of optical decay time increasing with temperature. Both the implanted layer of MoO _ 3 and the electroluminescent material Ir(ppy)3 can promote the accumulation of carriers. The 螖 V _ f caused by the different implanted layers of MoO _ 3 is 0.52 渭 s / kg. The 螖 V f caused by Ir(ppy)3 is 0.73 渭 s / kg.
【作者单位】： 中国科学院半导体研究所材料重点实验室;中国科学院大学材料科学与光电技术学院;
【基金】：国家自然科学基金(61274049,61574140) 病毒学国家重点实验室开放基金(2017IOV002) 国家重点研发计划(2017YFB0405400,2016YFB0400500)资助项目~~
【分类号】：TN383.1

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本文编号：1520205