MBE制备GaN纳米柱阵列的光学特性

发布时间：2018-02-27 02:31

  本文关键词： 分子束外延(MBE) GaN纳米柱阵列 反射光谱 光致发光光谱 V/Ⅲ比　出处：《微纳电子技术》2017年01期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：使用U-4100紫外可见光光度计和QM40稳态/瞬态荧光光谱仪分别对不同V/Ⅲ比分子束外延(MBE)制备的GaN纳米柱阵列进行了测试,分析了V/Ⅲ比对GaN纳米柱表面形貌及发光特性的影响。反射光谱、透射光谱和室温稳态光致发光光谱结果表明:MBE制备的GaN纳米柱阵列其V/Ⅲ比直接影响纳米柱的带边发光、黄带发光、蓝带发光和光吸收等光学特性。当波长为480 nm蓝光段时,纳米柱有最强的反射能力。纳米柱V/Ⅲ比为6∶1时反射率峰值最大,约为55%,且峰值随V/Ⅲ比的变化交替变化。纳米柱V/Ⅲ比为8∶1时透射率最大。纳米柱V/Ⅲ比为10∶1时黄带发光几乎消失,且365 nm附近的带边发光和440 nm附近的蓝带发光增强。拟合结果中370 nm为主要的带边发光峰。
[Abstract]:U-4100 UV-Vis photometer and QM40 steady-state / transient fluorescence spectrometer were used to measure the GaN nanoscale arrays prepared by molecular beam epitaxy (MBE) with different V / 鈪，

本文编号：1540758