强电磁脉冲对微波场效应管影响的仿真研究

发布时间：2018-02-28 09:47

  本文关键词： 强电磁脉冲 微波场效应管 仿真　出处：《导弹与航天运载技术》2017年05期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：微波场效应管(MESFET)构成的低噪声放大器电路常用于射频前端,是常见的射频模拟电路。该电路在强电磁脉冲作用下易烧毁,从而导致设备失效。使用半导体器件-电路联合仿真器对强电磁脉冲作用下的微波场效应管烧毁过程进行仿真,对失效机理开展研究,为进行强电磁脉冲防护提供依据。研究结果表明:强电磁脉冲达到一定的阙值会导致MESFET烧毁,该阙值与强电磁脉冲的上升时间有关,根据仿真结果可进行强电磁脉冲的屏蔽防护。
[Abstract]:The low noise amplifier circuit composed of microwave field effect transistor (MESFET) is often used in the RF front-end and is a common RF analog circuit. The circuit is easily destroyed under the action of strong electromagnetic pulse. The failure mechanism of the microwave field effect tube under strong electromagnetic pulse is simulated by using the semiconductor device / circuit combined simulator, and the failure mechanism is studied. The results show that when the strong electromagnetic pulse reaches a certain threshold, the MESFET will burn down, which is related to the rising time of the strong electromagnetic pulse. According to the simulation results, strong electromagnetic pulse shielding can be carried out.
【作者单位】： 北京宇航系统工程研究所;
【分类号】：TN386

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本文编号：1546783