纳米尺寸芯片的透射电镜样品制备方法

发布时间：2018-02-28 20:50

  本文关键词： 透射电镜(TEM) 样品制备 聚焦离子束(FIB) 失效分析 平面样品　出处：《半导体技术》2016年12期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：针对先进半导体器件在失效分析过程中遇到的实际问题,介绍了两种优化的透射电镜(TEM)样品制备方法,两种方法均使用了聚焦离子束(FIB)设备完成。详细描述了两种制备方法的改善步骤以及改善后的效果。一种方法是通过增加碳的覆盖层来避免TEM图像重影问题;另外一个方法是利用FIB的不同角度切割能力,来制备定点的平面TEM样品。实践证明,通过FIB样品制备方法的优化和改善,解决了45 nm工艺及以下制程的半导体器件失效分析过程中遇到的此类问题,TEM样品质量能得到有效的改善,对于解决实际工作中的问题非常有效。
[Abstract]:In view of the practical problems encountered in the failure analysis of advanced semiconductor devices, two optimized methods for the preparation of TEM TEM samples are introduced. The two methods are accomplished by focusing ion beam beam (FIB) equipment. The improvement steps and the improved results of the two preparation methods are described in detail. One method is to avoid the problem of TEM image duplication by adding a carbon coating. Another method is to use the different angle cutting ability of FIB to prepare plane TEM samples at fixed points. Practice shows that the preparation method of FIB samples is optimized and improved. The problems encountered in failure analysis of semiconductor devices in 45 nm process and below are solved. The quality of TEM samples can be improved effectively, which is very effective in solving practical problems.
【作者单位】： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;
【基金】：上海市先进集成电路微分析专业技术服务平台资助项目(14DZ2294800)
【分类号】：TN16;TN303

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本文编号：1548903