AlGaInP发光二极管老化性能研究

发布时间：2018-03-03 12:55

  本文选题：光学器件　切入点：AlGaInP　出处：《激光与光电子学进展》2017年05期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：采用金属有机化学气相沉积系统外延AlGaInP发光二极管,制备成面积小于12 mil×12 mil(300μm×300μm,1mil=25.4μm)的芯片,封装成裸晶结构并在50mA、50℃加速应力环境下进行1008h老化寿命实验,研究外延结构中不同掺杂浓度的分布式布拉格反射镜(DBR)及分段掺杂P型层对小尺寸芯片老化性能的影响。结果表明:随着芯片尺寸缩小,光衰幅度变大,当芯片尺寸小于9mil×9mil(225μm×225μm)时,通过提升DBR的掺杂浓度可以明显降低光衰幅度;降低与过渡层相邻的P-Al_(0.5)In_(0.5)P薄层的掺杂浓度,形成分段掺杂P型层,通过降低第二段P-Al_(0.5)In_(0.5)P薄层的掺杂浓度,可以进一步提升老化性能。尺寸为6mil×6mil(150μm×150μm)的芯片在50mA、50℃环境下老化1008h,其光衰幅度可控制在-6%以内。
[Abstract]:An epitaxial AlGaInP light-emitting diode (AlGaInP) with an area of less than 12 mil 脳 12 mil(300 渭 m 脳 300 渭 m 脳 1miln 25.4 渭 m was fabricated by metal-organic chemical vapor deposition system. The chip was encapsulated into a bare crystal structure and the aging life of 1008 h was carried out at 50 鈩，

本文编号：1561126