退火条件对Sn掺杂ZnO薄膜光电性能的影响

发布时间：2018-03-06 05:17

  本文选题：溶胶-凝胶　切入点：Sn掺杂ZnO(SZO)薄膜　出处：《材料工程》2017年08期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：采用溶胶-凝胶法在普通载玻片上制备Sn掺杂ZnO薄膜(SZO薄膜)。研究空气退火、低真空退火、高真空退火、氮气退火、三高退火、循环退火6种不同退火条件对SZO薄膜光电性能的影响。结果表明:6种不同的退火条件制备的SZO薄膜均为纤锌矿结构且具有c轴择优取向生长的特性。高真空退火下,SZO薄膜的结晶状况和电学性质最优,最低电阻率可达到5.4×10~(-2)Ω·cm。薄膜的可见光区平均透过率均大于85%。薄膜在390nm和440nm附近(325nm光激发下)都出现光致发光峰,在空气、氮气、低真空中退火后薄膜440nm处发光强度最为显著。
[Abstract]:Sn-doped ZnO thin films were prepared on ordinary glass substrates by sol-gel method. Air annealing, low vacuum annealing, high vacuum annealing, nitrogen annealing, triple-high annealing were studied. The effect of six different annealing conditions on the optical and electrical properties of SZO thin films was studied. The results show that the SZO films prepared under 6 different annealing conditions are wurtzite structure and have the characteristic of c-axis preferred orientation growth. The crystallization and electrical properties of SZO thin films are optimal. The lowest resistivity is 5.4 脳 10 ~ (-2) 惟 路cm ~ (-2) 惟 路cm ~ (-1). The average transmittance in the visible region of the films is higher than 85. The photoluminescence peaks are observed at 390nm and 440nm, respectively. The luminescence intensity is the most obvious at 440 nm after annealing in air, nitrogen and low vacuum.
【作者单位】： 商洛学院电子信息与电气工程学院;西北工业大学理学院;
【基金】：国家自然科学基金项目(51472205) 商洛学院科研基金项目(14SKY009)
【分类号】：O484.4;TN304.21

【参考文献】

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【共引文献】

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本文编号：1573479