高温氧化对SiC MOS器件栅氧可靠性的影响

发布时间：2018-03-08 22:31

  本文选题：SiC金属氧化物半导体(MOS)器件　切入点：零时击穿(TZDB)　出处：《半导体技术》2017年10期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：SiC金属氧化物半导体(MOS)器件中SiO_2栅氧化层的可靠性直接影响器件的功能。为了开发高可靠性的栅氧化层,将n型4H-SiC(0001)外延片分别在1 200,1 250,1 350,1 450和1 550℃5种温度下进行高温干氧氧化实验来制备SiO_2栅氧化层。在室温下,对SiC MOS电容样品的栅氧化层进行零时击穿(TZDB)和与时间有关的击穿(TDDB)测试,并对不同干氧氧化温度处理下的栅氧化层样品分别进行了可靠性分析。结果发现,在1 250℃下进行高温干氧氧化时所得的击穿场强和击穿电荷最大,分别为11.21 MV/cm和5.5×10-4C/cm~2,势垒高度(2.43 eV)最接近理论值。当温度高于1 250℃时生成的SiO_2栅氧化层的可靠性随之降低。
[Abstract]:The reliability of SiO_2 gate oxide in SiC metal oxide semiconductor (MOS) devices directly affects the function of the device. N type 4H-SiCn001) epitaxial wafers were prepared by high temperature dry oxygen oxidation at 1 200 鈩，

本文编号：1585839