MOS栅氧的界面特性和辐照特性研究

发布时间：2018-03-10 20:48

  本文选题：Si-SiO_界面　切入点：电导法　出处：《微电子学》2017年02期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：通过交流电导法,对经过不同时间N_2O快速热处理(RTP)的MOS电容进行界面特性和辐照特性研究。通过电导电压曲线,分析N_2O RTP对Si-SiO_2界面陷阱电荷和氧化物陷阱电荷造成的影响。结论表明,MOS电容的Si-SiO_2界面陷阱密度随N_2O快速热处理时间先增加再降低;零偏压总剂量辐照使氧化层陷阱电荷显著增加,而Si-SiO_2界面陷阱电荷轻微减少。
[Abstract]:The interface characteristics and irradiation characteristics of MOS capacitors after N2O rapid heat treatment at different time were studied by AC conductance method. The effect of RTP on Si-SiO_2 interface trap charge and oxide trap charge is analyzed. It is concluded that the Si-SiO_2 interface trap density of MOS capacitors increases first and then decreases with the rapid heat treatment time. The total dose of zero bias increases the trapping charge of the oxide layer significantly, while the interface trap charge of Si-SiO_2 decreases slightly.
【作者单位】： 中国科学院微电子研究所;中国科学院硅器件技术重点实验室;中国科学院大学;
【基金】：国家自然科学基金资助项目(61404169,61404161)
【分类号】：TN386

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本文编号：1595018