基于25 nm FinFET结构的SRAM单粒子效应研究

发布时间：2018-03-11 21:45

  本文选题：FinFET　切入点：TCAD　出处：《微电子学》2017年03期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：对基于25nm FinFET结构的SRAM单粒子效应进行研究。使用Synopsys Sentaurus TCAD仿真软件进行器件工艺校准,并对独立3DFinFET器件以及包含FinFET器件和HSpice模型的混合电路(如6管SRAM单元)进行单粒子瞬态仿真。通过改变重粒子入射条件,分析影响瞬态电流峰值、脉宽、漏极翻转阈值等参数的因素。研究发现,混合模型中,FinFET结构器件的漏极翻转阈值为0.023 MeV·cm2/mg,对未来基于FinFET结构的器件及电路结构的加固提出了更高的要求。
[Abstract]:The single particle effect of SRAM based on 25nm FinFET structure is studied. The device process is calibrated by Synopsys Sentaurus TCAD simulation software. Single particle transient simulation of independent 3D FinFET devices and hybrid circuits including FinFET devices and HSpice models (such as 6 transistor SRAM cells) is carried out. By changing the incident conditions of heavy particles, the effects of transient current peak and pulse width are analyzed. It is found that the drain turnover threshold is 0.023 MeV 路cm ~ 2 / mg in the hybrid model, which puts forward higher requirements for the reinforcement of the device and circuit structure based on the FinFET structure in the future.
【作者单位】： 电子科技大学电子科学技术研究院;中国电子科技集团公司第二十四研究所;
【分类号】：TN386

【参考文献】

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1 侯明东,甄红楼,张庆祥,刘杰,马峰;重离子在半导体器件中引起的单粒子效应[J];原子核物理评论;2000年03期

【共引文献】

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本文编号：1600033