高亮度锥形半导体激光器

发布时间：2018-03-16 13:37

  本文选题：半导体激光器　切入点：锥形波导　出处：《发光学报》2016年08期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：介绍了由双量子阱非对称波导结构外延片刻蚀成的带有脊形波导结构的锥形半导体激光器。该激光器有效抑制了p型区域对激光的影响,减小了半导体激光快轴方向的发散角,同时采用脊形结构和锥形结构的组合获得了高亮度激光。实验中,在电流7 A时获得了中心波长963 nm、连续功率4.026 W的激光输出。测得慢轴方向和快轴方向激光光束参数乘积分别为1.593 mm·mrad和0.668 mm·mrad。
[Abstract]:A tapered semiconductor laser with ridged waveguide structure is introduced, which is etched by double quantum well asymmetric waveguide structure. The laser effectively suppresses the influence of p-region on the laser, and reduces the divergence angle in the fast axis direction of semiconductor laser. At the same time, the high brightness laser is obtained by the combination of ridged structure and conical structure. The laser output with a central wavelength of 963 nm and a continuous power of 4.026 W has been obtained at current 7 A. the measured product of laser beam parameters in the direction of slow axis and fast axis is 1.593 mm 路mrad and 0.668 mm 路mradrespectively.
【作者单位】： 北京工业大学激光工程研究院;
【基金】：“863”国家高技术研究发展计划(2014AA032609) 国家自然科学基金(61404050) 广东省科技计划(2014B010119002,2016A010103011) 中央高校基本科研业务费专项资金(2015ZM131)资助项目
【分类号】：TN248.4

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本文编号：1620151