有机场效应晶体管的非线性注入模型
本文选题:有机场效应晶体管 切入点:非线性输出特性 出处:《发光学报》2017年11期 论文类型:期刊论文
【摘要】:有机场效应晶体管(Organic field effect transistor,OFET)的非线性特性是指其输出特性曲线在较低的漏极电压下出现类似于二极管的电压电流特性曲线,这种现象在有机场效应晶体管的实验研究中极为常见。Simonetti等通过引入随栅极电压变化的迁移率提出了模型并成功解释了这一现象,但实验中从器件转移特性得出的迁移率通常与栅极电压无关。本文通过引入常数迁移率对该模型进行改进,运用改进的模型研究了影响OFET非线性特性的主要因素,并对如何更加准确地获得器件参数进行了探究。
[Abstract]:The nonlinear properties of organic field effect transistors with airfield effect transistors are the voltage-current characteristic curves of organic field effect transistors with low drain voltage. This phenomenon is very common in the experimental study of airfield effect transistors. Simonetti and others proposed a model by introducing mobility varying with gate voltage and successfully explained the phenomenon. However, the mobility obtained from the device transfer characteristics in the experiment is usually independent of the gate voltage. In this paper, the main factors affecting the nonlinear characteristics of OFET are studied by introducing the constant mobility to improve the model. And how to obtain the device parameters more accurately is discussed.
【作者单位】: 兰州大学物理科学与技术学院微电子研究所;中国计量大学光学与电子科技学院;
【基金】:国家自然科学基金(10974074)资助项目~~
【分类号】:TN386
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本文编号:1620393
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