CMOS荧光波长检测芯片的设计与仿真

发布时间：2018-03-20 10:19

  本文选题：双结深光电二极管　切入点：波长检测芯片　出处：《半导体光电》2017年06期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：双结深光电二极管包括一深一浅两个光电二极管,深、浅pn结光电二极管的光电流比值I_2/I_1随入射光波长单调增加。文章基于0.5μm CMOS工艺对双结深光电二极管深、浅结光电流进行了数学建模和Matlab仿真。设计了片上信号处理电路,将双结深光电二极管深、浅结光电流比值转换成电压输出。仿真结果表明,信号处理电路的输出与ln(I_2/I_1)具有良好的线性关系。单片集成的CMOS波长检测芯片可用于未知荧光的波长检测和特异性分析。
[Abstract]:Double junction photodiode includes a deep shallow two photodiodes, deep, light current ratio I_2/I_1 of shallow PN junction photodiode increases with the wavelength of incident light. Based on monotone 0.5 m CMOS process of double junction photodiode deep and shallow junction photocurrent. The mathematical modeling and Simulation of Matlab. The design of tablets the signal processing circuit, double junction photodiode, shallow junction photocurrent ratio is converted into voltage output. The simulation results show that the output of the LN signal processing circuit (I_2/I_1) has a good linear relationship. The detection wavelength of CMOS monolithic integrated chip can be used for the analysis of wavelength detection and specificity of unknown fluorescence.

【作者单位】： 浙江工业大学信息学院;
【基金】：国家自然科学基金项目(61306090) 浙江省自然科学基金项目(LY17F040004)
【分类号】：TN31

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本文编号：1638649