多胞MOSFET器件的射频建模和参数提取（英文）

发布时间：2018-03-23 21:41

  本文选题：半导体技术　切入点：小信号模型　出处：《红外与毫米波学报》2017年05期

【摘要】：对纳米级金属氧化物半导体场效应管器件提出了改进的小信号模型.该改进模型中综合考虑了馈线的趋肤效应和器件多胞结构的影响.提取过程中,根据可缩放规律,由传统模型的参数推导出元胞参数.将模型应用于8×0.6×12μm(栅指数×栅宽×元胞数量)、栅长为90 nm的MOSFET器件在1~40 GHz范围内的建模,测试所得S参数和模型仿真所得S参数能够高度地吻合.
[Abstract]:An improved small-signal model is proposed for nanoscale metal oxide semiconductor FET devices. The skin effect of feeders and the effect of the polycell structure of the devices are considered in the improved model. In the extraction process, according to the scalable law, The cellular parameters are derived from the parameters of the traditional model. The model is applied to the modeling of MOSFET devices with gate length of 90 nm and 8 脳 0.6 脳 12 渭 m (gate index 脳 gate width 脳 cell quantity) in the range of 1 ~ 40 GHz. The S parameters obtained from the test are in good agreement with those obtained from the model simulation.
【作者单位】： 华东师范大学信息科学技术学院电子工程系;
【基金】：Supported by the National Natural Science Foundation of China(61474044)
【分类号】：TN386

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本文编号：1655280