电荷耦合器件中子辐照诱发的位移效应

发布时间：2018-03-28 00:40

  本文选题：电荷耦合器件　切入点：中子辐照　出处：《发光学报》2016年01期

【摘要】：为研究电荷耦合器件空间辐照效应、参数退化机理,对国产64×64像元电荷耦合器件进行了中子辐照位移损伤效应研究。样品在中子辐照下,暗信号、暗信号非均匀性和电荷转移效率等关键性能参数退化显著。研究结果表明:暗信号的退化是由于中子辐照产生的体缺陷能级在耗尽层中充当复合-产生中心,增大了热载流子的产生率所致,而各像素单元暗信号退化的不一致性使暗信号非均匀性增大;电荷转移效率显著减小则是由于中子辐照在转移沟道中产生的体缺陷不断捕获、发射电子所引起。在整个实验过程中,饱和输出电压的退化可以忽略不计,表现出较好的抗位移损伤能力。
[Abstract]:In order to study the space irradiation effect and the parameter degradation mechanism of the charge coupled device, the neutron irradiation displacement damage effect of the 64 脳 64 pixel charge coupled device made in China was studied. The key performance parameters such as inhomogeneity of dark signal and charge transfer efficiency degenerate significantly. The results show that the degradation of dark signal is due to the fact that the body defect energy level caused by neutron irradiation acts as the recombination-generation center in the depletion layer. The inconsistency of dark signal degradation in each pixel unit increases the inhomogeneity of the dark signal, and the significant decrease in charge transfer efficiency is due to the continuous capture of the body defects produced by neutron irradiation in the transfer channel. During the whole experiment, the degradation of the saturation output voltage can be neglected, which shows a good ability to resist displacement damage.
【作者单位】： 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆电子信息材料与器件重点实验室中国科学院新疆理化技术研究所;中国科学院大学;重庆光电技术研究所;
【基金】：国家自然科学基金(11005152)资助项目
【分类号】：TN386.5

【参考文献】

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本文编号：1674012