一种采用全MOS器件补偿温度和沟调效应的电流控制环形振荡器

发布时间：2018-03-28 12:43

  本文选题：MOS器件　切入点：振荡器　出处：《福州大学学报(自然科学版)》2017年05期

【摘要】：提出一种全MOS器件补偿温度和沟调效应电流控制环形振荡器,以减小通信时钟恢复电路振荡器的振荡频率偏移.与传统振荡器相比,该振荡器采用全MOS器件设计温度和偏置电流补偿电路,在增强可靠性的情况下降低了温度和沟调效应引起的频率偏移.电路采用0.35μm标准MOS工艺设计,通过与传统振荡器性能进行仿真比较,该方法振荡频率的偏移量得到明显改善.
[Abstract]:A full MOS compensation temperature and trench effect current controlled ring oscillator is proposed to reduce the oscillation frequency offset of the communication clock recovery circuit oscillator. The full MOS device is used to design the temperature and offset current compensation circuit, which reduces the frequency offset caused by temperature and trench effect in the case of enhanced reliability. The circuit is designed in 0.35 渭 m standard MOS process. Compared with the traditional oscillator, the deviation of the oscillation frequency of this method is improved obviously.
【作者单位】： 福州大学物理与信息工程学院福建省集成电路设计中心;
【基金】：国家自然科学基金资助项目(61501122)
【分类号】：TN752

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本文编号：1676378