微波场板GaN HEMTs大信号特性及其模型研究

发布时间：2018-03-29 22:17

本文选题：场板　切入点：氮化镓　出处：《电子科技大学学报》2017年03期

【摘要】：针对栅、源两种场板氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMTs),提出了一种包含非线性热网络的电热大信号模型。该模型基于电热耦合理论,采用有限元电热仿真方法,提取了两种场板器件的热阻和热容参数,建立了与功耗相关的非线性热网络,并嵌入到改进的Angelov经验模型中;分析了场板结构对微波小信号特性和大信号负载阻抗的影响等。在片测试及仿真结果表明,针对两种场板GaN HEMTs器件,在0~40 GHz频带内,该模型能较精确地预测S参数、输出功率(Pout)、增益(Gain)和功率附加效率(PAE)等参数;为成功地完成电路设计,提供了较为精确的电热大信号模型。
[Abstract]:Based on the theory of electric heating coupling , the thermal resistance and heat capacity parameters of two kinds of field plate devices are proposed . The thermal resistance and heat capacity parameters of two kinds of field plate devices are extracted by finite element electric heating simulation method , and the influence of field plate structure on the characteristics of microwave small signal and large signal load impedance is established .

【作者单位】：电子科技大学电子工程学院;
【基金】：国家自然科学基金(61474020)
【分类号】：TN304.2

【参考文献】