应用于电磁超声的DE类功率放大器驱动电路设计

发布时间：2018-03-31 03:23

  本文选题：DE类功率放大器　切入点：金属-氧化物半导体场效应晶体管　出处：《北京工业大学学报》2016年02期

【摘要】：为了进一步增强电磁超声激励源的激发效能,提高电磁超声换能器的工作效率,基于射频技术提出了一种DE类射频功率放大器,通过采用隔离电源方法,有效地解决了高边金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的"浮地"问题,实现了高频隔离.通过分析MOSFET开关工作状态及控制特性,确立了MOSFET开关的基本工作过程,从而建立了一种MOSFET驱动电路设计方法.通过对关键元件的选型设计与算法研究,构建了DE类功率放大器的驱动电路.实验结果表明:设计的MOSFET驱动电路的输出信号电压幅值为13.4 V,占空比50%,频率为1MHz,输出信号稳定,实现了对MOSFET的可靠驱动,能够满足实际应用.
[Abstract]:In order to further enhance the excitation efficiency of the electromagnetic ultrasonic excitation source and improve the working efficiency of the electromagnetic ultrasonic transducer , a kind of DE class radio frequency power amplifier is put forward based on the radio frequency technology . The basic working process of the MOSFET switch is established by analyzing the working state and the control characteristic of the MOSFET . The experimental results show that the output signal voltage amplitude of the MOSFET driving circuit is 13.4 V , the duty ratio is 50 % , the frequency is 1 MHz , the output signal is stable , the reliable driving of the MOSFET is realized , and the practical application can be met .

【作者单位】： 北京工业大学机械工程与应用电子技术学院;
【基金】：北京市科学技术委员会首都科技条件平台资助项目(Z141100003414001)
【分类号】：TN722.75

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本文编号：1688936