2～3微米波段InP基无锑激光器和光电探测器

发布时间：2018-03-31 23:35

  本文选题：半导体激光器　切入点：光电探测器　出处：《红外与毫米波学报》2016年03期

【摘要】：介绍了我们基于InP衬底采用无锑材料体系开展的2~3μm波段激光器及光电探测器方面的持续探索,包括采用赝配三角形量子阱方案的2~2.5μm波段I型InGaAs多量子阱激光器、采用虚拟衬底异变方案的2.5~3μm波段I型InAs多量子阱激光器、以及截止波长大于1.7μm的高In组分InGaAs光电探测器等,这些器件结构均采用GSMBE方法生长,其中2.5μm以下波长的激光器已实现了高于室温的CW激射并获实际应用,2.9μm波长的激光器也在热电制冷温度下实现了脉冲激射,含超晶格电子阻挡势垒层的截止波长2.6μm InGaAs光电探测器暗电流显著减小,此类光电探测器材料已用于航天遥感焦平面组件的研制.
[Abstract]:In this paper, we introduce the continuous exploration of 2 ~ 3 渭 m band lasers and photodetectors based on antimony free material system based on InP substrate, including 2o 2.5 渭 m band I InGaAs multiple quantum well lasers using pseudo-matched triangle quantum well scheme. Using the virtual substrate variant scheme, I type I InAs quantum well lasers with virtual substrates and high in component InGaAs photodetectors with cutoff wavelength greater than 1.7 渭 m are fabricated by GSMBE method. The CW laser with the wavelength below 2.5 渭 m has been realized higher than room temperature, and the laser with 2.9 渭 m wavelength has been applied to realize the pulse excitation at the thermoelectric cooling temperature. The dark current of 2. 6 渭 m InGaAs photodetector with electron barrier barrier layer of superlattice has been significantly reduced. This kind of photodetector material has been used in the development of space remote sensing focal plane module.
【作者单位】： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室;
【基金】：973项目基金(2012CB619200、2014CB643900) 国家自然科学基金(61275113、61204133、61405232、61334004)~~
【分类号】：TN248

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本文编号：1693002