多电压集成电路的瞬时剂量率辐射效应试验研究

发布时间：2018-04-01 03:36

  本文选题：瞬时剂量率　切入点：多电压　出处：《电子技术应用》2017年01期

【摘要】：瞬时剂量率辐射会对集成电路产生不同程度的影响,产生扰动、翻转、闩锁甚至烧毁等问题。针对一款具有两种电源电压的0.18μm SRAM电路,利用"强光一号"装置进行了瞬时γ剂量率辐射试验,研究了SRAM电路的内核电压和IO电压受扰动后的恢复时间,并对试验结果进行了分析。高电源电压扰动恢复时间优于低电源电压扰动恢复时间,该发现对多电压集成电路瞬时剂量率效应的评估和加固具有指导意义。
[Abstract]:Instantaneous dose rate radiation can have different effects on integrated circuits, such as disturbance, flip, latch and even burn out. For a 0.18 渭 m SRAM circuit with two kinds of power supply voltage, The instantaneous 纬 dose rate radiation test was carried out by using the "strong light 1" device, and the recovery time after the core voltage and IO voltage of SRAM circuit were disturbed was studied. The recovery time of high power supply voltage disturbance is better than that of low power supply voltage disturbance recovery time. This finding is of guiding significance for the evaluation and reinforcement of instantaneous dose rate effect of multi-voltage integrated circuits.
【作者单位】： 北京微电子技术研究所;哈尔滨工业大学;
【分类号】：TN40

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